Главная страница

утверждена


Скачать 373,5 Kb.
Названиеутверждена
АнкорStrategiya_do_2025.doc
Дата28.02.2018
Размер373,5 Kb.
Формат файлаdoc
Имя файлаStrategiya_do_2025.doc
ТипДокументы
#34094
страница6 из 9
Каталог
1   2   3   4   5   6   7   8   9

Развитие сети межотраслевых и отраслевых центров проектирования.


Развитие сети отраслевых и межотраслевых центров проектирования решает задачу по обеспечению создания стратегически значимых радиоэлектронных систем, а также массовой гражданской аппаратуры, требующей разработки в короткие сроки сотен типов микросхем: универсальных (процессоров, схем памяти, программируемых матриц и др.) и специализированных, в том числе уровня «система на кристалле» сложностью в десятки миллионов компонентов, требующих совместных усилий разработчиков и изготовителей как радиоэлектронных систем, так и микроэлектронных компонентов.

Причем количество дизайн-центров должно быть достаточным для загрузки как действующих модернизированных, так и вновь создаваемых мощностей.

Должно быть обеспечено создание проектной инфраструктуры, включающей:

- межотраслевые и отраслевые центры проектирования, центры системного уровня проектирования при крупных аппаратостроительных организациях (интегрированных структурах);

- дизайн-центры проектирования ЭКБ;

- межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Созданных и достаточно успешно функционирующих в настоящее время центров проектирования ЭКБ (всего порядка 10) явно недостаточно для решения перечисленных проблем. Оценки показывают, что количество центров проектирования для решения задачи формирования новой базы проектирования основных видов ЭКБ и обеспечения рациональной региональной сети центров должно составлять около 60-70.

В ходе реализации подпрограммы «Развитие электронной компонентной базы» в течение 2007-2011 гг. планируется создать разветвленную сеть центров проектирования (30-35 новых центров), в том числе 6-7 центров системного уровня при ведущих организациях Роспрома, Росатома и Роскосмоса, Минобразования, а также Межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

При этом созданная инфраструктура должна обеспечить завоевание конкурентоспособных позиций, позволяющих достигнуть заданного в Стратегии роста объемов продаж в следующих секторах мирового рынка:

  • Приоритетное развитие научно-производственной базы твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники.


Отличительной особенностью современного состояния СВЧ-техники в стране является то, что достигнутый технический уровень по ряду ключевых направлений (вакуумная СВЧ-техника) не уступает мировому, а в ряде случаев превосходит его, и разработанные изделия в основном являются конкурентоспособными. Основными составляющими рынка СВЧ-изделий являются:

-продукция, изготавливаемая в интересах Минобороны России и других заказчиков (радиолокационная аппаратура, включая АФАР, военная связь, в том числе спутниковая, аппаратура для антитеррористической и радиоэлектронной борьбы);

-продукция промышленного и бытового назначения (аэродромные и трассовые радиолокационные станции, спутниковая и наземная связь, цифровое телевидение, промышленная и бытовая электроника);

-продукция, изготавливаемая по международным контрактам (в основном военного назначения).

Вместе с тем, дальнейшее развитие отечественной СВЧ-техники сдерживается наметившимся отставанием в области твердотельной СВЧ-электроники, связанным с отсутствием современного технологического оборудования. Чтобы не уступить приоритет зарубежным производителям, необходим уровень 0,35-0,18 мкм для кремниевой технологии и 0,1-0,2 мкм для приборов на арсениде галлия и широкозонных полупроводниках.

Для достижения и развития нового уровня СВЧ-электроники в первую очередь необходимо сконцентрировать финансовые, технические и кадровые ресурсы в наиболее технологически развитых базовых организациях. Для поддержания критических технологий, способных обеспечить разработку и производство СВЧ- приборов в интересах перспективных систем вооружений и для гражданских применений, эти организации остро нуждаются в модернизации и техническом перевооружении действующих производственных мощностей. В отличие от микроэлектронных производств ведущие центры СВЧ-электроники остались в государственной собственности. Государство имеет полный контроль над этими центрами. Наличие устойчивого рынка внутри страны и конкурентоспособность отечественных изделий СВЧ-техники на мировом рынке делает возможным получение максимального экономического и технического эффекта от реализации инвестиционных проектов по модернизации центров СВЧ-электроники и обеспечения развития производства исходных материалов и структур («кремний на изоляторе», гетероструктуры). Необходимо предусмотреть дальнейшее развитие работ в институтах РАН, где имеется значительный задел по технологии СВЧ-приборов на наногетероструктурах.

Существенным является поддержание высокого уровня технологий СВЧ-приборов и создание нового поколения высоконадежных вакуумных мощных СВЧ-приборов и высокоэффективных гибридных малогабаритных СВЧ-модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками. В области вакуумной СВЧ-электроники необходимо в первую очередь развивать те технологии которые обеспечат мировое лидерство. Прежде всего это относится к СВЧ-электронике больших мощностей.
связь с админом